用于半导体装置性能改善的涂层

摘要

一种等离子体处理腔室，其具有增强型涂层的气体喷淋头和延伸的下电极。所述延伸的下电极可由聚焦环、覆盖环和等离子体约束环的一个或多个组成。延伸的下电极可利用一个一片式的复合覆盖环制成。所述复合覆盖环可由Al2O3制成并具有抗等离子体Y2O3涂层。所述等离子体约束环可以包括一流量均衡化离子遮罩装置，其也可具有抗等离子体涂层。所述延伸电极的抗等离子体涂层可具有配合气体喷淋头的成份。

主权项

一种用于处理基片的等离子体处理腔室，其中，包括：一气体喷淋头，其包括一具有多个注气孔的多孔板和一等离子体曝露面，所述该等离子体曝露面具有一涂覆了含钇涂层的抗等离子体涂层；用于支持所述基片的一夹盘；围绕所述该基片设置的一聚焦环；围绕所述该聚焦环设置的一覆盖环；以及，围绕所述该夹盘设置的一等离子体约束环；其中，所述该聚焦环、所述该覆盖环、所述该等离子体约束环中的至少一个的等离子体曝露面涂覆了抗等离子体涂层。