发明名称 半导体装置,显示装置及电子装置
摘要 本发明揭示一种半导体装置,该半导体装置包含:一或复数段第一布线,其具有一主要布线区段及一分叉布线区段;一或复数段第二布线,其具有一主干布线区段及该主要布线区段与该分叉布线区段之间的一间隙区域内之复数个分支布线区段;一或复数个电晶体,其各自分成且形成为复数段,该复数个分支布线区段个别地充当一闸极电极且该一或复数个电晶体具有形成于该主要布线区段内及该分叉布线区段内之一源极区域且具有形成于该复数个分支布线区段之间的一汲极区域;及一或复数段第三布线,其电连接至该一或复数个电晶体之该汲极区域。
申请公布号 TWI470306 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW101111180 申请日期 2012.03.29
申请人 日本显示器西股份有限公司 日本 发明人 曾我部光史;村濑正树;水桥比吕志
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置,其包括:一或复数段第一布线,其沿着一第一方向延伸于一基板上且具有经配置而彼此分离开之一主要布线区段及一分叉布线区段;一或复数段第二布线,其具有沿着与该第一方向相交之一第二方向延伸于该基板上之一主干布线区段及沿着该第一方向延伸于该主要布线区段与该分叉布线区段之间的一间隙区域内之复数个分支布线区段;一或复数个电晶体,其各自沿着该第二方向分成且形成为复数段,该复数个分支布线区段个别地充当一闸极电极,且该一或复数个电晶体具有分别形成于该主要布线区段内及该分叉布线区段内之一源极区域且具有形成于该复数个分支布线区段之间的一汲极区域;及一或复数段第三布线,其沿着该第二方向延伸且电连接至该一或复数个电晶体之该汲极区域;且该第一布线具有一连接部分用于使该主要布线区段及该分叉布线区段在该间隙区域内彼此电连接。
地址 日本