| 发明名称 | 纳米器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够与二极管、隧道元件、MOS晶体管等电子元件组合的纳米器件及其集成电路、以及纳米器件的制作方法。纳米器件包括：第一绝缘层（2）；以具有纳米间隙的方式设置于第一绝缘层（2）上的一方的电极（5A）与另一方的电极（5B）；配置于一方电极（5A）与另一方的电极（5B）之间的金属纳米粒子（7）或者功能分子；以及设置在第一绝缘层（2）、一方的电极（5A）以及另一方的电极（5B）上，并且将金属纳米粒子（7）、功能分子中的任一种埋设的第二绝缘层（8）。第二绝缘层（8）作为钝化层起作用。 | ||
| 申请公布号 | CN104303313A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201380011440.0 | 申请日期 | 2013.02.27 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 真岛丰;寺西利治;松本和彦;前桥兼三;东康男;大野恭秀;前田幸祐;葛姆胡博特福德瑞克·哈格呗鲁杰 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 梁海莲;余明伟 |
| 主权项 | 一种纳米器件，其特征在于，包括：第一绝缘层；一方的电极以及另一方的电极，其以具有纳米间隙的方式设置在所述第一绝缘层上；金属纳米粒子，其配置于所述一方的电极以及所述另一方的电极之间；以及第二绝缘层，其设置于所述第一绝缘层、所述一方的电极以及所述另一方的电极上，并埋设有所述金属纳米粒子。 | ||
| 地址 | 日本琦玉县川口市本町4-1-8 | ||