发明名称 |
电容值可变的MIS电容的结构及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电容值可变的MIS电容的制作方法,步骤包括:1)在N型重掺杂衬底上成长N型轻掺杂外延;2)成长牺牲氧化层;3)定义N型离子注入区,垂直注入N型离子;4)斜角度注入N型离子;5)去除光刻胶,热退火;6)去除牺牲氧化层,再淀积一层氧化层;7)淀积金属层。本发明还公开了该MIS电容的结构。本发明通过垂直和带角度的两次N型离子注入及注入后的扩散,在MIS电容的N型轻掺杂外延层中形成了注入离子横向的波浪形浓度梯度,这种结构使MIS电容值能随着外加电压的增大而增大,与RFLDMOS的输出电容形成互补,用此MIS电容和RFLDMOS的输出电容并联进行内匹配,就可以减小输出电容随电压的非线性。 |
申请公布号 |
CN104299902A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201410412539.8 |
申请日期 |
2014.08.20 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
蔡莹 |
分类号 |
H01L21/334(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/334(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
电容值可变的MIS电容的制作方法,其特征在于,步骤包括:1)在N型重掺杂衬底上成长N型轻掺杂外延;2)在N型轻掺杂外延上成长牺牲氧化层;3)用光刻胶定义出N型离子注入区,并进行垂直的N型离子注入;4)进行N型离子的斜角度注入;5)去除光刻胶,并进行热退火;6)去除牺牲氧化层,然后再淀积一层氧化层;7)淀积金属层,通过光刻和刻蚀形成电容值可变的MIS电容。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |