| 发明名称 | 接触插塞及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种接触插塞及其制造方法，包括：提供一硅基板，其具有至少一开口；于开口内顺应性形成一钛层；于开口内的钛层上顺应性形成一第一阻障层；对钛层及第一阻障层实施一快速热处理；以及在实施该快速热处理之后，于开口内的第一阻障层上顺应性形成一第二阻障层。本发明能够避免造成氮化钛层破裂而在开口底部角落形成裂缝，而使接触插塞内的导电材料穿过氮化钛层的裂缝扩散至外部，形成电晶体的漏电路径，导致电晶体漏电流增加的情况出现。 | ||
| 申请公布号 | CN104299941A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201310305414.0 | 申请日期 | 2013.07.19 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 吴鹏飞;詹益综;高志明;廖友成;庄文仁;吴荣根;钱奂宇;郭庭佑;林素珍 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 董惠石 |
| 主权项 | 一种接触插塞的制造方法，其特征在于，该方法包括：提供一硅基板，其具有至少一开口；于该开口内顺应性形成一钛层；于该开口内的该钛层上顺应性形成一第一阻障层；对该钛层及该第一阻障层实施一快速热处理；以及在实施该快速热处理之后，于该开口内的该第一阻障层上顺应性形成一第二阻障层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||