| 发明名称 |
随机噪声源 |
| 摘要 |
本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As材料体系、InP衬底上的InAs/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成。封装体与半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。本发明利用半导体超晶格器件的固态自发混沌振荡特性，通过合理选择势阱/势垒层材料增强量子限制效应，抑制热激发漏电，可以实现工作在室温环境的高质量、高带宽随机噪声源，带宽达GHz以上。 |
| 申请公布号 |
CN102856367B |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
| 申请号 |
CN201210301121.0 |
申请日期 |
2012.08.23 |
| 申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
李文;黄寓洋;殷志珍;张耀辉 |
| 分类号 |
H01L29/66(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种随机噪声源，其特征在于，包括：半导体超晶格器件，由采用InP衬底上的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As材料体系、InP衬底上的InAs/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/AlAs材料体系、或者GaAs衬底上的GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As材料体系的超晶格材料结构通过半导体微加工制作而成,其中，采用InP衬底上的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As材料体系的该超晶格材料结构依序包括：n型掺杂InP衬底、n型掺杂In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As第一接触层、In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As超晶格层结构以及n型掺杂In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As第二接触层；并且In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As超晶格层结构中的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As势阱层为n型掺杂；采用InP衬底上的InAs/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/AlAs材料体系的该超晶格材料结构依序包括：n型掺杂InP衬底、n型掺杂In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As第一接触层、InAs/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/AlAs超晶格层结构以及n型掺杂In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As第二接触层；并且InAs/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/AlAs超晶格层结构中的InAs势阱层为n型掺杂；采用GaAs衬底上的GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As材料体系的该超晶格材料结构依序包括：n型掺杂GaAs衬底、n型掺杂GaAs第一接触层、GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>055</sub>As超晶格层结构以及n型掺杂GaAs第二接触层；并且GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>055</sub>As超晶格层结构中的GaAs势阱层为n型掺杂；以及封装体，与该半导体超晶格器件电性连接以实现随机噪声信号的输出。 |
| 地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |
