| 摘要 |
本发明之目的在于甚至当氮化矽膜被使用做为接合层时，也能减少介于基底基板与半导体基板间之有缺陷接合的发生。本发明之另一目的在于提供SOI基板的制造方法，藉由该方法，能够抑制步骤之数目增加。本发明的一种SOI基板的制造方法，其步骤如下：准备半导体基板及基底基板；在半导体基板之上形成氧化物膜；透过氧化物膜而以加速离子照射半导体基板，以便在距半导体基板的表面之预定的深度处形成分离层；在离子照射之后，在氧化物膜之上形成含氮层，以使半导体基板与基底基板彼此相对地配置，以使含氮层的表面和基抵基板的表面互相接合；以及加热半导体基板以致沿着分离层而分离，以形成单晶半导体层于基底基板之上，且具有氧化物膜和含氮层插置于其间。 |
