| 摘要 |
1. Детектор (100) излучения, содержащийa) преобразовательный элемент (102) для преобразования падающего высокоэнергетического излучения (X) в зарядовые сигналы,b) катод (101) и решетка (104) анодов (103), расположенные на разных сторонах преобразовательного элемента, для генерации электрического поля (Е, E) в преобразовательном элементе (102),при этом преобразовательный элемент (102) имеет пространственную неоднородность, за счет которой напряженность упомянутого электрического поля (Е, E) увеличивается в первой области (R) вблизи анодной решетки и/или уменьшается во второй области (R) на удалении от анодной решетки.2. Детектор (100) излучения по п. 1,отличающийся тем, что катод (101) и анодная решетка (104) покрывают участки, по существу, одинакового размера.3. Детектор (100) излучения по п. 1,отличающийся тем, что электрическое поле (Е, E) направлено, по существу, перпендикулярно плоскостям, образованным катодом (101) и/или анодной решеткой (104).4. Детектор (100) излучения по п. 1,отличающийся тем, что абсолютное значение электрического поля (Е, E) имеет ненулевой градиент, перпендикулярный к плоскостям, образованным катодом (101) и/или анодной решеткой (104).5. Детектор (100) излучения по п. 1,отличающийся тем, что первая область (R), по существу,покрывает соответствующую зону весового потенциала (φ) каждого пикселя, из которой существенная часть импульса тока наводится движением заряда.6. Детектор (100) излучения по п. 1,отличающийся тем, что преобразовательный элемент (102) содержит подложку, которая неоднородно легирована, по меньшей мере, одной легирующей примесью.7. Детектор (100) излучения по п.6,отличающийся тем, что концентрация упомянутой легирующей примеси в пер� |
