| 摘要 |
1. Солнечный элемент, содержащий подложку на основе кристаллического кремния одного типа проводимости, имеющую светопринимающую поверхность, эмиттерный слой, образованный со стороны светопринимающей поверхности подложки, и имеющую легирующую примесь противоположного типа проводимости, добавляемую к ней, пассивирующую пленку, образованную на поверхности подложки, вытягивающий электрод для вытягивания фотогенерированного заряда из кремниевой подложки, и коллекторный электрод, находящийся в контакте, по меньшей мере, с частью вытягивающего электрода, для накопления заряда, вытянутого вытягивающим электродом, отличающийся тем, что вытягивающий электрод включает первый электрод в форме спеченной проводящей пасты, содержащей легирующую примесь, для придания проводимости кремнию, причем, по меньшей мере, первый электрод сформирован таким образом, чтобы он проникал сквозь пассивирующий слой, а коллекторный электрод включает в себя второй электрод, обладающий более высокой проводимостью, чем первый электрод.2. Солнечный элемент по п.1, в котором ниже границы раздела между эмиттерным слоем кремниевой подложки и первым электродом сформирована самолегированная область, образованная в результате диффузии легирующей примеси в первом электроде в ходе этапа спекания.3. Солнечный элемент по п. 1, в котором самолегированная область обладает более низким удельным электросопротивлением, чем прилегающий к ней эмиттерный слой.4. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод образован из проводящей пасты на основе Ag и содержит в качестве легирующей примеси B, Al, Ga, P, As, In или Sb в свободном состоянии или в виде их соеди |
