ＨＩＰＩＭＳ層

摘要

本発明は、少なくとも１つの基板上に、吹き付けを用いて気相からなるＰＶＤ層系を析出する方法に関し、この層系は少なくとも１つの第１層を有する方法において、この方法中の少なくとも１つの工程で、電力密度が少なくとも２５０Ｗ／ｃｍ２であるＨＩＰＩＭＳ法を適用し、少なくとも５ミリ秒の長さのパルス長を採用し、この長さ中に、基板に基板バイアスをかけることを特徴とする。