逆分極キャップを備えたエンハンスメントモードＩＩＩ族‐Ｎ高電子移動度トランジスタ

摘要

二次元電子ガス（２ＤＥＧ）を枯渇させるため及びノーマリーオフデバイスを形成ための、ＩnＧａＮキャップ構造などの逆分極キャップ構造（２１２）と、逆分極キャップ構造より下及びＨＥＭＴの障壁層（１１８）より上にあるスペーサ層（２１０）とを用いる方法で、逆分極キャップを備えたエンハンスメントモードＩＩＩ族‐Ｎ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）（２００）が形成され、これにより、障壁層にエッチングすることなく逆分極キャップ層がエッチングされ得る。