| 摘要 |
Zgodnie ze sposobem wytwarza się implant z tytanu i/lub stopu tytanu z powierzchniowymi dyfuzyjnymi warstwami tlenoazotowanymi TiO2+TiN+Ti2N+?Ti(N), przy czym dyfuzyjną warstwę azotowaną TiN+Ti2N+?Ti(N) i warstwę tlenkową wytwarza się w warunkach wyładowania jarzeniowego. Proces azotowania i tlenoazotowania prowadzi się w jednym cyklu technologicznym w niskotemperaturowej plazmie wyładowania jarzeniowego w zakresie temperatur 500÷800oC w atmosferze czystego azotu lub mieszaniny azotu z argonem i/lub wodorem i/lub powietrzem i/lub tlenem, przy ciśnieniu w komorze roboczej urządzenia do obróbki jarzeniowej w zakresie 1-5 mbar, przy czym warstwę tlenkową TiO2, tworzącą z warstwą azotowaną dyfuzyjną warstwę tlenoazotowaną TiO2+TiN+Ti2N+?Ti(N), wytwarza się w drugim etapie tego procesu z wykorzystaniem aktywnego ekranu na potencjale plazmy lub na potencjale katody. Implant składa się z trzpienia (4), główki (3) i panewki (1), przy czym pomiędzy panewką (1) a główką (3) jest umieszczona wkładka (2) z kompozytu polimerowego na bazie polieteroeteroketonu, grafitu i włókien węglowych, zaś co najmniej na powierzchni trzpienia (4) i zewnętrznej powierzchni panewki (1) jest wytworzona dyfuzyjna warstwa tlenoazotowana TiO2+TiN+Ti2N+?Ti(N) z zewnętrzną nanokrystaliczną warstwą tlenkową TiO2 wytworzoną na warstwie azotowanej TiN+Ti2N+?Ti(N) w niskotemperaturowej plazmie w warunkach wyładowania jarzeniowego. |
