发明名称 用以减少金氧半场效电晶体之闪烁噪声的模组化方法;MODULAR APPROACH FOR REDUCING FLICKER NOISE OF MOSFETS
摘要 在一个示例性的实施方案中,本申请提供了一种减少器件中的金氧半场效电晶体(MOSFET)的闪烁噪声的模组化方法。首先,电路设计者可以选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET。然后,一个或多个表面沟道MOSFET被转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET,以降低闪烁噪声。一个或多个掩模可被应用到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。该技术可用在运算放大器的输入端,更具体地,轨对轨运算放大器,以及其它模拟和数字电路,例如混频器、环形振荡器、电流反射镜等。
申请公布号 TW201503373 申请公布日期 2015.01.16
申请号 TW103123599 申请日期 2014.07.09
申请人 美国亚德诺半导体公司 发明人 艾许拉及 阿里;汤马西尼 阿尔弗雷多
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/22(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 阎启泰林景郁
主权项
地址 美国