发明名称 |
用以减少金氧半场效电晶体之闪烁噪声的模组化方法;MODULAR APPROACH FOR REDUCING FLICKER NOISE OF MOSFETS |
摘要 |
在一个示例性的实施方案中,本申请提供了一种减少器件中的金氧半场效电晶体(MOSFET)的闪烁噪声的模组化方法。首先,电路设计者可以选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET。然后,一个或多个表面沟道MOSFET被转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET,以降低闪烁噪声。一个或多个掩模可被应用到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。该技术可用在运算放大器的输入端,更具体地,轨对轨运算放大器,以及其它模拟和数字电路,例如混频器、环形振荡器、电流反射镜等。 |
申请公布号 |
TW201503373 |
申请公布日期 |
2015.01.16 |
申请号 |
TW103123599 |
申请日期 |
2014.07.09 |
申请人 |
美国亚德诺半导体公司 |
发明人 |
艾许拉及 阿里;汤马西尼 阿尔弗雷多 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/22(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰林景郁 |
主权项 |
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地址 |
美国 |