发明名称 不需要感测放大器的半导体记忆体
摘要 一种不需要感测放大器的半导体记忆体,包含:复数讯号电极、复数控制电极、复数记忆体元件、复数三态缓冲器,及一电位调整单元。该等记忆体元件呈阵列排列于该等讯号电极及该等控制电极间。该等三态缓冲器电连接于该讯号电极及该等记忆体元件间,接收该等记忆体元件所输出的读取数据并输出至该讯号电极,该电位调整单元用以将该等三态缓冲器的输入端之电压调整至一预定电压。藉由将该等记忆体元件分割为较小单位的群体,每一单位的寄生电容会大幅低于未分割前的总寄生电容,因此不需感测放大器即可正常运作,进而降低耗电量。
申请公布号 TW201503156 申请公布日期 2015.01.16
申请号 TW102125228 申请日期 2013.07.15
申请人 萧志成 发明人 萧志成
分类号 G11C7/10(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 代理人 高玉骏杨祺雄
主权项
地址 台中市西区明智街13巷23号