低泄漏、低临界电压、分裂闸极快闪胞元操作技术;LOW LEAKAGE, LOW THRESHOLD VOLTAGE, SPLIT-GATE FLASH CELL OPERATION

摘要

本发明揭露一种读取记忆体装置之方法，该记忆体装置具有成多列与成多行之记忆体胞元形成在一基材上，其中各个记忆体胞元包括隔开的第一与第二区域，其间具有一通道区域，一个浮动闸极配置在该通道区域的一第一部分上，一选择闸极配置在该通道区域的一第二部分上，一控制闸极配置在该浮动闸极上，且一抹除闸极系配置在该第一区域上。本发明之方法包括在读取操作期间将小量之正电压施加在反选择的源极线上，及/或将小量的负电压施加在反选择的字元线上，以抑制次临界泄漏，并藉以改良读取性能。