| 摘要 |
抑制位元线均衡电路之占据面积，并使预充电特性提升。具备有：分别被连接有位元线(BLT1、BLB1)之扩散层区域(SDT1、SDB1)，和被供给预充电电位(VBLP)之扩散层区域(SDEQ)，和闸极电极(G)。闸极电极(G)，系包含延伸存在于Y方向上之部分(G12)、和延伸存在于X方向上之部分(G3)。被闸极电极(G12)所覆盖之部分，系构成通道区域(CH12)，被闸极电极(G3)所覆盖之部分，系构成通道区域(CH3)。扩散层区域(SDT1)，系在Y方向上而位置于扩散层区域(SDB1、SDEQ)之间。扩散层区域(SDT1、SDB1)和扩散层区域(SDEQ)，系经由通道区域(CH12)而被作连接，扩散层区域(SDT1)和扩散层区域(SDB1)，系经由通道区域(CH3)而被作连接。若依据本发明，则能够充分地确保通道宽幅(CH3)。 |
