薄膜电晶体的制作方法;METHOD FOR PRODUCING THIN FILM TRANSISTOR

摘要

本发明的薄膜电晶体的制作方法中，从基板2侧对于构造体14a照射准分子雷射16，构造体14a是在使准分子雷射16透过的基板2上形成有防扩散膜4、在防扩散膜4上形成有闸极电极6及闸极绝缘膜8、在闸极绝缘膜8上形成有氧化物半导体层10的构造体，使用闸极电极6作为遮罩，对于氧化物半导体层10的与闸极电极6对应的区域的两外侧的区域照射准分子雷射16而进行低电阻化处理，使两外侧的区域中的一者成为源极区域18，使另一者成为汲极区域19。防扩散膜4包含在氮化矽膜中含氟的氟化氮化矽膜(SiN：F)。