离子束处理方法及离子束处理装置

摘要

本发明的一实施形态相关之离子束蚀刻方法，系具有：在离子束(2b)因遮挡件(5)而未照射于基板(4a)之第1状态下，对于第1电极(307)，施加供以于真空容器1将离子作引出之正的电压之程序(11b)；在第1状态下，于内部空间内使电浆产生之程序(12b)；藉在第1状态下形成对于第1电极(307)系施加正的电压并对于第2电极(308)系施加负的电压之第2状态，以形成离子束(2b)之程序(13)；以及使遮挡件(5)移动，以离子束(2b)对于基板(4a)作照射，而处理该基板之程序(20b)。