发明名称 源极驱动器之之半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF SOURCE DRIVER
摘要 一种源极驱动器之之半导体结构,源极驱动器设置于玻璃面板上,此源极驱动器之之半导体结构内含P型基板、低电压电路区块、高电压电路区块,以及第一深N型井。P型基板具有一表面;低电压电路区块与高电压电路区块内嵌于P型基板中;第一深N型井由P型基板之表面延伸进入P型基版之内部而包围低电压电路区块,此深N型井将低电压电路区块与高电压电路区块分隔开来。; the low voltage circuit block and the high voltage circuit block initiate from the surface of the P-type substrate and extend into the interior of the P-type substrate. The first deep N well which extends from the surface of the P-type substrate to the interior of the P-type substrate surrounds the low voltage circuit block, in which the deep N well separates the low voltage circuit block and the high voltage circuit block.
申请公布号 TW201503323 申请公布日期 2015.01.16
申请号 TW102124240 申请日期 2013.07.05
申请人 奇景光电股份有限公司 发明人 王家辉;徐传健;黄宏裕
分类号 H01L27/092(2006.01);H01L21/76(2006.01) 主分类号 H01L27/092(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财李世章
主权项
地址 台南市新市区紫楝路26号