具有薄矽本体的记忆体装置的结构及制造方法;STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURE OF MEMORY DEVICE WITH THIN SILICON BODY

摘要

文中所说明为具有薄矽本体之记忆体装置的结构及制造方法。该记忆体装置可为半导体，包含：第一宽度之第一电介质；第二宽度之第二电介质，该第二宽度小于该第一宽度；以及该第二电介质之侧壁上之薄膜多晶矽(poly-Si)。; a second dielectric of a second width, the second width less than the first width; and a thin film polycrystalline silicon (poly-Si) on sidewalls of the second dielectric.