发明名称 |
离子源及其操作方法;ION SOURCE AND METHOD TO OPERATE THE SAME |
摘要 |
一种离子源,包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧电浆的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧电浆中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室更包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下,反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率,当离子源腔室中不配置有反应性插件时,在第一组操作条件下,离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。 |
申请公布号 |
TW201503206 |
申请公布日期 |
2015.01.16 |
申请号 |
TW103115793 |
申请日期 |
2014.05.02 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
拜洛 科斯特尔;斯波德莱 大卫P;舒尔 杰;巴森 奈尔 |
分类号 |
H01J27/08(2006.01);H01J37/08(2006.01);H01J37/04(2006.01) |
主分类号 |
H01J27/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
美国 |