电阻变化记忆体;RESISTANCE CHANGE MEMORY

摘要

根据一项实施例，一种电阻变化记忆体包含一记忆体单元、一感测放大器及一全域位元线。该记忆体单元安置于其中一区域位元线与一字线彼此交叉之一位置处。该记忆体单元连接至该区域位元线及该字线两者。该感测放大器藉由将一读取电流供应至该记忆体单元而读取储存于该记忆体单元上之资料。该全域位元线连接于该区域位元线与该感测放大器之间。该全域位元线将由该感测放大器供应之该读取电流馈送至该区域位元线。在该区域位元线与该全域位元线彼此连接之前，该感测放大器给该全域位元线充电。