附强介电体膜之矽基板

摘要

本发明之课题为于与形成强介电体膜之基板本体表面相反侧之基板本体背面，未形成应力平衡层，而是减低发生于矽基板之残留应力，并藉由此抑制发生于矽基板之翘曲。本发明之解决手段为于基板本体(11)上藉由溶胶凝胶法所形成之PZT系之强介电体膜(12)中的残留应力为-14MPa~-31MPa，强介电体膜(12)结晶配向于(100)面。