| 摘要 |
本発明は、リソグラフィー用に用いられるレジストパターンの線幅の減少に適用することができるパターン形成方法に関する。このパターン形成方法は、フォトレジスト組成物を、基板に塗布してレジスト膜を形成する工程を含む。このフォトレジスト組成物は、酸解離性基を有する第一ポリマーと、酸発生体とを含有する。このレジスト膜は露光される。このレジスト膜は、有機溶媒含有率が８０質量％以上の現像液を用いて現像され、レジスト膜のプレパターンを形成する。複数種の第二ポリマーを含有する組成物を用いて、このプレパターン間に、相分離構造を有する高分子膜を形成する。高分子膜の相分離構造の一部は除去する。 |
