发明名称 Prozess und Vorrichtung zum Messen der Kristallfraktion von Kristallinen Monocast-Siliziumwafern
摘要 Bereitgestellt sind Verfahren und Vorrichtungen zur Bestimmung der Kristallfraktion eines Monocast-Siliziumwafers. Ein Lichtquelle ist auf den Wafer gerichtet und die Transmission oder Reflexion wird von einem Detektor gemessen. Ein Bild des Wafers wird von einem Prozessor erzeugt, und die Kristallfraktion wird aus dem erzeugten Bild berechnet. Die Kristallfraktion ist mit dem Wirkungsgrad der hergestellten Solarzelle korreliert, was den Verwurf von qualitativ unterlegenen Wafern vor der Verarbeitung erlaubt.
申请公布号 DE112013001409(T5) 申请公布日期 2015.01.15
申请号 DE20131101409T 申请日期 2013.03.14
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 SCHLEZINGER, ASAF;AL-BAYATI, AMIR
分类号 G01N21/35;H01L21/66 主分类号 G01N21/35
代理机构 代理人
主权项
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