| 发明名称 |
分離した消去ゲートを有するスプリットゲート型不揮発性浮遊ゲートメモリセルをプログラミングする方法 |
| 摘要 |
<p>不揮発性メモリセルのプログラミング中に、電圧パルスを、セルの消去ゲートに対して、セルの他の要素に電圧パルスが印加された後の遅延時間で適用する。消去ゲート電圧パルスは、他の電圧パルスが終了するのと実質的に同時に終了する。【選択図】 図２</p> |
| 申请公布号 |
JP2015501503(A) |
申请公布日期 |
2015.01.15 |
| 申请号 |
JP20140539965 |
申请日期 |
2012.10.10 |
| 申请人 |
シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドＳＩＬＩＣＯＮ ＳＴＯＲＡＧＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ， ＩＮＣ． |
发明人 |
マルコフ ヴィクター;ユ ジョン−ウォン;グエン フン クオック;コトフ アレクサンダー |
| 分类号 |
G11C16/02;G11C16/04;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C16/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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