Oberflächenkorrektur von Spiegeln mit Entkopplungsbeschichtung

摘要

Die Erfindung betrifft einen Spiegel (1) für die EUV-Lithographie, umfassend ein Substrat (2) und eine reflektive Beschichtung (3, 4), wobei die reflektive Beschichtung eine erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) und eine zweite Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) umfasst, wobei die erste (3) und zweite Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b; 4a, 4b) jeweils zur Reflexion von Strahlung mit einer Nutzwellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sind, wobei die erste Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) zwischen dem Substrat (2) und der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) angeordnet ist, und wobei zwischen der ersten (3) und zweiten Gruppe (4) von Schichten (3a, 3b, 4a, 4b) eine Entkopplungsbeschichtung (6) angeordnet ist, die zur optischen Entkopplung der zweiten Gruppe (4) von Schichten (4a, 4b) von der ersten Gruppe (3) von Schichten (3a, 3b) ausgebildet ist. Die reflektive Beschichtung (3, 4) weist zur Korrektur der Oberflächenform des Spiegels (1) bevorzugt eine Korrekturschicht (5) mit einer Schichtdickenvariation auf. Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsoptik und ein optisches System für die EUV-Lithographie mit mindestens einem solchen Spiegel, ein Verfahren zum Korrigieren der Oberflächenform eines solchen Spiegels sowie Verfahren zum Korrigieren der Abbildungseigenschaften einer solchen Projektionsoptik.