| 发明名称 | 一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管，涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As渐变层，复合式布拉格反射器(DBR)，n-InAlP限制层，(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P/(Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P有源层，p-InAlP限制层，p-(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P过渡层，p-GaP窗口层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本实用新型的优点是：采用复合DBR来减少衬底对有源区下面的光的吸收，既能反射小角度入射光又能反射大角度入射光，进而提高发光二极管器件的亮度。该发光二级管的制备工艺简单、易于实施，便于推广应用。 | ||
| 申请公布号 | CN204102923U | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201420350774.2 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 发明人 | 马淑芳;田海军;韩蕊蕊;李天保;吴小强;杨杰 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人 | 董芙蓉 |
| 主权项 | 一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的结构为：在n‑GaAs衬底上由下至上外延生长有n‑GaAs缓冲层，n‑Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As渐变层，复合式布拉格反射器(DBR)，n‑InAlP限制层，(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P/(Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P有源层，p‑InAlP限制层，p‑(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>)<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P过渡层，p‑GaP窗口层，p面电极；其中，所述复合式布拉格反射器的结构由上下两个部分组成，两部分的材料相同，结构不同。 | ||
| 地址 | 041600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区 | ||