半导体装置

摘要

本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。

主权项

一种半导体装置，其包含：半导体区域(3)；源极电极(40)和漏极电极(44)，所述源极电极(40)和漏极电极(44)设置在所述半导体区域(3)的主表面上；栅极电极(42)，其具有常关闭特性，所述栅极电极(42)设置在所述半导体区域(3)的主表面上同时在其间插入p型材料膜(60a)，并且所述栅极电极(42)排列在所述源极电极(40)和所述漏极电极(44)之间，所述栅极电极(42)设置在通过移除所述半导体区域(3)的主表面的一部分而形成的凹槽结构上；以及第四电极(50)，其设置在所述半导体区域(3)的主表面上，并且所述第四电极(50)排列在所述栅极电极(42)和所述漏极电极(44)之间；其中保留在所述第四电极(50)之下的所述半导体区域(3)的厚度大于保留在所述栅极电极(42)之下的所述半导体区域(3)的厚度。