| 发明名称 | 制造含有半导体纳米颗粒的光吸收层的方法及制造含有所述光吸收层的半导体设备的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造光吸收层的典型方法和制造包括所述光吸收层的半导体设备的方法。所述典型方法包括：通过在基底上涂敷半导体纳米颗粒溶液形成纳米颗粒薄膜；热处理所述纳米颗粒薄膜至少一次以使纳米颗粒之间发生粘附；及通过在所述纳米颗粒薄膜上涂敷光吸收溶液形成光吸收层。 | ||
| 申请公布号 | CN104282803A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410103333.7 | 申请日期 | 2014.03.19 |
| 申请人 | 首尔大学校产学协力团;多次元能源系统研究集团 | 发明人 | 李昌熙;车国宪;李成勋;李东龟;林载勋;宋知娟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;杨生平 |
| 主权项 | 一种制造包含半导体纳米颗粒的光吸收层的方法，所述方法包括：通过将半导体纳米颗粒溶液涂敷于基底上形成纳米颗粒薄膜；热处理所述纳米颗粒薄膜至少一次以使纳米颗粒之间发生粘附；及通过在所述纳米颗粒薄膜上涂敷光吸收溶液形成光吸收层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||