光刻重叠采样

摘要

本发明的一些实施例涉及光刻重叠采样，其中一种对准方法包括：在晶圆的一面上限定多个区域；以及将多个区域组织成正交区域结构和两个或更多个连续区域结构。在两个或更多个连续区域结构的每一个区域内测量第一数量的对准结构位置，并且在正交区域结构的每一个区域内测量第二数量的对准结构位置，第二数量大于第一数量。然后，基于测量得到的两个或更多区连续区域结构和正交区域结构的对准结构位置，将部件或层与之前形成的部件或层对准。

主权项

一种将部件或层与之前在晶圆的一面上形成的部件或层对准的方法，包括：在所述晶圆的所述一面上限定多个区域；将所述多个区域组织成正交区域结构和两个或更多个连续区域结构，其中，所述正交区域结构由位于第一正交轴和第二正交轴上并且被配置在所述晶圆外缘附近的区域组成，并且每一个连续区域结构都包括与所述正交区域结构分离的两个或更多个相邻区域；在所述两个或更多个连续区域结构的每一个区域内测量第一数量的对准结构位置；在所述正交区域结构的每一个区域内测量第二数量的对准结构位置，所述第二数量大于所述第一数量；以及基于测量得到的所述两个或更多个连续区域结构和所述正交区域结构中的对准结构位置，将所述部件或层与所述之前形成的部件或层对准。