| 发明名称 | 一种晶格匹配的LED外延结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种晶格匹配的LED外延结构，本实用新型涉及一种从成核层、未掺杂层、n型层、发光层和p型层都具极化匹配的氮化物发光二极管外延结构及制备方法，属于光电子技术领域。该外延结构由下至上依次设置有衬底、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N成核层、未掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N层、n型掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N层、In<sub>a</sub>Ga<sub>1-a</sub>N阱层和Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N垒层构成的多量子阱发光层和p型掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N层。与传统结构相比，该外延结构从成核层开始到发光层区间和P型掺杂层均采用与发光层阱材料相匹配的四元Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N材料，消除了发光层内阱与垒间的压电极化效应，提高了LED的内量子发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN204102922U | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201420351797.5 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 发明人 | 李天保;韩蕊蕊;马淑芳;田海军;关永莉 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人 | 董芙蓉 |
| 主权项 | 一种晶格匹配的LED外延结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上，由下至上依次设置有Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N成核层、未掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N层、n型掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N层、In<sub>a</sub>Ga<sub>1‑a</sub>N阱层和Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N垒层构成的多量子阱发光层和p型掺杂的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N层；各层的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N的晶格常数与多量子阱发光层的阱层In<sub>a</sub>Ga<sub>1‑a</sub>N的晶格常数相同，各层的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x‑y</sub>In<sub>y</sub>N的带隙宽度大于多量子阱发光层的阱层In<sub>a</sub>Ga<sub>1‑a</sub>N的带隙宽度。 | ||
| 地址 | 041600 山西省临汾市洪洞县甘亭工业园区 | ||