具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法。所述具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管包括：基板上的漏极；基板上的漂移层；p型氮化镓(GaN)电流势垒层，配置于漂移层的上部而限定p型氮化镓电流势垒层之间的电流孔径，且电流孔径提供载流子朝垂直方向移动的路径；沟道层，配置于p型氮化镓电流势垒层和漂移层之上，并具有上部的二维电子气层；半导体层，配置于沟道层上而用于使二维电子气层形成；金属接触层，贯通沟道层而与p型氮化镓电流势垒层接触；金属接触层和沟道层上的源极层；栅绝缘层和栅极层，依次层叠于作为沟道层的相反侧的半导体层的上表面上。

主权项

一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管，包括：基板上配置的n+型氮化镓层；n+型氮化镓层的第一区域上配置的漂移层；n+型氮化镓层的第二区域上配置的漏极；p型氮化镓电流势垒层，配置于所述漂移层的上部而限定所述p型氮化镓电流势垒层之间的电流孔径，且所述电流孔径提供载流子朝垂直方向移动的路径；沟道层，配置于所述p型氮化镓电流势垒层和漂移层之上，并具有上部的二维电子气层；半导体层，配置于所述沟道层上而用于使所述二维电子气层形成；金属接触层，贯通所述沟道层而与所述p型氮化镓电流势垒层接触；所述金属接触层和沟道层上的源极层；栅绝缘层和栅极层，依次层叠于作为所述沟道层的相反侧的所述半导体层的上表面上。