一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法

摘要

本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法，其步骤为：选取衬底，在衬底上制作栅电极；在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；在栅介质层上生长一层金属层；在金属层中间位置上制备沟道区，在常压和室温下对沟道区的金属进行阳极氧化处理，形成金属氧化物半导体层；制作包含源区、漏区和沟道区的有源区；在有源区上淀积一层氮化硅层，在氮化硅层上形成电极的两个接触孔；淀积一层金属铝膜，制成薄膜晶体管电极的两个金属接触电极，完成金属氧化物薄膜晶体管制备。本发明工艺简单、成本低，可以广泛在薄膜晶体管领域中应用。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管制作方法，其包括以下步骤：1)选取衬底，在衬底上生长一层金属薄膜或透明导电薄膜，然后在该金属薄膜或透明导电薄膜上采用光刻和刻蚀在衬底中心位置处形成栅电极；2)在衬底上生长一层绝缘介质或高介电常数介质，并覆盖在栅电极上作为栅介质层；3)在栅介质层上生长一层10～100纳米厚金属层，该生长方法采用直流磁控溅射的方法，使用金属或者合金靶，纯度≥99.99％，溅射气压为0.3～2.5Pa之间，气体为纯氩气；4)在金属层中间位置上制备沟道区，然后在常压和室温下对沟道区的金属进行阳极氧化处理，形成金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层即为金属氧化物薄膜晶体管的沟道层；5)制作源区和漏区，形成包含源区、漏区和沟道区的有源区；源区及漏区为未经阳极氧化处理的金属层的金属，位于沟道区的两端且与沟道区相连，都位于栅介质层上；6)在有源区上采用等离子增强化学汽相淀积方法或磁控溅射方法淀积一层氮化硅层，该氮化硅层覆盖栅介质层，然后在氮化硅层上位于源区一侧和漏区一侧都采用光刻和刻蚀，形成电极的两个接触孔；7)在整个器件的上表面采用磁控溅射方法淀积一层金属铝膜，然后光刻和刻蚀制成薄膜晶体管电极的两个金属接触电极，两个接触电极将薄膜晶体管的各电极引出，完成金属氧化物薄膜晶体管制备。