半导体相变激发装置及激发方法

摘要

本发明提供一种半导体相变激发装置及激发方法，其中，装置包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。本发明提供的上述方案，采用了相变蓄能技术，通过对相变的主动控制，摆脱了显热蓄能的局限，大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低，使用寿命长。

主权项

一种半导体相变激发装置，其特征在于，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。