| 发明名称 | 用于监控铜势垒层预清洗工艺的系统和方法 | ||
| 摘要 | 描述了在监控预清洗工艺中使用的监控晶圆和制造该监控晶圆的方法。一个实施例为监控晶圆，包括：硅基底层；覆盖层，位于硅基底层上方；以及势垒层，位于USG层的上方。监控晶圆进一步包括：铜(“Cu”)晶种层，位于势垒层上方；以及厚Cu层，位于Cu晶种层上方。本发明公开了用于监控铜势垒层预清洗工艺的系统和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102800605B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201110349017.4 | 申请日期 | 2011.11.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋国梁;翁政辉 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种在监控预清洗工艺中使用的监控晶圆，所述监控晶圆包括：硅基底层；覆盖层，位于所述硅基底层的上方；势垒层，位于所述覆盖层的上方；铜晶种层，位于所述势垒层的上方；以及厚Cu层，位于所述铜晶种层的上方，其中，所述监控晶圆还包括CuO层，所述CuO层位于所述厚Cu层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||