一种一步电沉积制备超疏水表面的方法

摘要

本发明公开了一种一步电沉积实现导电固体表面超疏水化的制备方法。在含有长链烷基硅氧烷的水解液中采用一步电化学沉积技术在导电固体表面制备粗糙的硅烷薄膜，即可得到与水的接触角大于150°的超疏水表面。上述超疏水化表面的制备方法具有广适性，可适用于多种导电固体表面，如金属（及合金）、导电玻璃与导电聚合物，而且适合形状不规则的基体，该制备方法工艺简单，条件温和，制备成本低，并且，制备得到的超疏水表面具有良好的抗酸碱性。

主权项

一种一步电沉积制备超疏水表面的方法，其特征在于它的步骤如下：1）将0.1~5mL硅氧烷滴加到50~95mL乙醇或甲醇中，用盐酸调节pH至2.0~6.0，搅拌下缓慢加入50~5mL 浓度为0.2mol/L硝酸钠或硝酸钾，搅拌水解1~72h，得到沉积液；2）将待沉积的导体基体置于沉积液中作为阴极，以石墨或铂片为辅助电极，在0.1~10.0mA/cm²电流密度下电沉积1~30min，取出基体用气体吹干表面残余溶液，得到具有超疏水的覆盖有纳米多孔官能团化二氧化硅薄膜表面；所述的硅氧烷试剂为一种或两种长链烷基硅氧烷与无机硅氧烷组成的混合物，其中长链烷基硅氧烷为辛基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、1H,1H,2H,2H−全氟辛基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷，无机硅氧烷为正硅酸乙酯或正硅酸甲酯。