发明名称 |
一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器 |
摘要 |
一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器,包括基底、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器,两对输入输出电极镀于基底的表面,每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥;基底上设有两个对称的第一凹坑和第二凹坑,惠斯通电桥位于第一凹坑和第二凹坑之间,第一凹坑和第二凹坑内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器,第一凹坑和第二凹坑之间的中间区域设有中心聚集器,进而形成磁力线聚集器。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。 |
申请公布号 |
CN103116144B |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201310023657.5 |
申请日期 |
2013.01.22 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
胡佳飞;田武刚;赵建强;张琦;潘孟春;李季;胡靖华 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所 43008 |
代理人 |
赵洪;周长清 |
主权项 |
一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器,其特征在于,包括基底(5)、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器,所述两对输入输出电极镀于基底(5)的表面,每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥;所述基底(5)上设有两个对称的第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002),所述惠斯通电桥位于第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)之间,所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器,所述第一凹坑(1001)和第二凹坑(1002)之间的中间区域设有中心聚集器(9),进而形成磁力线聚集器;所述中心聚集器(9)和凹坑边沿聚集器中间的气隙比GMR敏感元件宽,所述GMR磁敏感元件放置于中心聚集器(9)和凹坑边沿聚集器之间;所述GMR参考元件位于中心聚集器(9)的下方。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院 |