| 主权项 |
1.一种上闸型薄膜电晶体含有端缘相互间以一定间隔所形成的源极电极及排极电极,及盖覆源极电极与上述排极电极间,两端跨越在该两电极的端部所形成的半导体层,及被形成在上述半导体层上面之闸极绝缘膜,及在上述闸极绝缘膜上面,对向于上述半导体层所形成的闸极电极,并且上述源极电极及上述排极电极被配置在比上述闸极电极还靠近基板侧之上闸型电晶体,其特征为:上述闸极电极在于上述源极电极与上述排极之间,从该两电极往内侧隔离一定的间隔而被形成,在临接于上述半导体层的一侧面之表面利用电浆处理形成被扩散不纯物原子的表面层,在与上述半导体层之一侧面相接的面,在为了上述不纯物原子的扩散以外之目的所必要的薄膜电晶体构成要件之内的上述半导体层相临接的构成要件的表面,藉由电浆处理形成不纯物原子扩散的表面层,在上述半导体层,被形成有从上述闸极电极的两侧缘各别扩散外侧的上述不纯物之多晶矽源极区域及排极区域,及用与上述闸极电极相等的宽度所被光罩的非晶矽通道区域部。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述不纯物原子为P(磷)原子,上述源极区域及排极区域为n+型多晶矽层之薄膜电晶体。3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述不纯物原子为B(硼)原子,上述源极区域及排极区域为p+型多晶矽层之薄膜电晶体。4.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述非晶矽的通道区域部利用上述闸极电极作为光罩之上闸型薄膜电晶体之薄膜电晶体。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述非晶矽的通道区域部利用预先被形成在上述基板上之所定宽度的遮光板作为光罩之上闸型薄膜电晶体。6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述表面层位于形成有上述源极电极与上述排极电极之基板的一面之上闸型薄膜电晶体。7.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述表面层位于上述基板上的一面之上闸型薄膜电晶体。8.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中上述表面层位于经过上述基板的一面而被形成的透明绝缘膜上之一面的上闸型薄膜电晶体。9.一种薄膜电晶体之制造方法,其中包含有形成,上述闸极电极作为光罩而在上述基板面直角的照射光能量,并且在上述半导体层从上述闸极电极的两侧缘各别扩散外侧的上述不纯物之多晶矽区域及排极区域,及与上述闸极电极相等的宽度下利用闸极电极作为光罩之非晶矽通道区域部的过程之上闸型薄膜电晶体。10.一种薄膜电晶体之制造方法,其中包含有形成,被预先形成在上述基板上所决定宽度的遮光板作为光罩,然后在上述基板背面直角的照射光能量,并且在上述半导体层从上述闸极电极的两侧缘扩散各别外侧的上述不纯物之多晶矽区域及排极区域,及与上述闸极电极相等的宽度下利用遮光板作为光罩之非晶矽通道区域部的过程之上闸型薄膜电晶体。图式简单说明:第一图系表示过去的上闸型薄膜电晶体例的构造之断面图。第二图系表示过去的上闸型薄膜电晶体其他例的构造之断面图。第三图A系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例其第1过程的原理断面图。第三图B系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例其第2过程的原理断面图。第三图C系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例其第3过程的原理断面图。第三图D系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例其第4过程的原理断面图。第三图E系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例其第5过程的原理断面图。第三图F系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例其第6过程的原理断面图。第三图G系为有关本发明以上闸型薄膜电晶体的第1制造方法例所被形成的薄膜电晶体之平面图。第四图A系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例其第1过程的原理断面图。第四图B系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例其第2过程的原理断面图。第四图C系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例其第3过程的原理断面图。第四图D系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例其第4过程的原理断面图。第四图E系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例其第5过程的原理断面图。第四图F系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例其第6过程的原理断面图。第四图G系为有关本发明以上闸型薄膜电晶体的第2制造方法例所被形成的薄膜电晶体之平面图。第五图A系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例其第1过程的原理断面图。第五图B系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例其第2过程的原理断面图。第五图C系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例其第3过程的原理断面图。第五图D系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例其第4过程的原理断面图。第五图E系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例其第5过程的原理断面图。第五图F系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例其第6过程的原理断面图。第五图G系为有关本发明以上闸型薄膜电晶体的第3制造方法例所被形成的薄膜电晶体之平面图。第六图A系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第4制造方法例其第1过程的原理断面图。第六图B系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第4制造方法例其第2过程的原理断面图。第六图C系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第4制造方法例其第3过程的原理断面图。第六图D系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第4制造方法例其第4过程的原理断面图。第六图E系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第4制造方法例其第5过程的原理断面图。第六图F系表示有关本发明上闸型薄膜电晶体的第4制造方法例其第6过程的原理断面图。第六图G系为有关本发明以上闸型薄膜电晶体的第4制造方法所被形成的底面图。第七图系为在SiO2上P处理后再对以a-Si成膜的试料#1及施行P处理的试料#2进行XeF(氟化)激发雷射退火处理时的照射能源其阻抗率之测定结果图表。第八图A系表示第七图的试料#1,#2之a-Si层图案的平面图。第八图B系为在第八图A的端子部形成电极26A,26B之平面图。 |
