| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造装置,系为一种将导电性物质埋入用以连接用绝缘膜绝缘之第1导电层与第2导电层之间之形成于前记绝缘膜上之连接孔之装置,其特征在于:具备以将在与前记第一导电层相接之前记连接孔之底部,将前记导电性物质埋入时之屏障金属层,藉由使用以包含与前记第1导电层自行化合之物质之气体作为源气体之电浆CVD法形成之形成机构;及于由此形成机构形成于前记连接孔之底部之前记屏障金属层上,藉由选择性CVD法连续将前记导电性物质成膜之成膜机构。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:前记第1导电层系由Si所成。3.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:与前记第1导电层自行化合之物质系为Ti。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:包含与前记第1导电层自行化合之物质之气体系为TiCl4。5.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:前记导电性物质系为W。6.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:前记屏障金属层系为TiSix膜。7.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:前记形成机构及前记成膜机构系使用同一室构成。8.根据申请专利范围第1项之半导体装置之制造装置,其中:前记形成机构及前记成膜机构系由相异之室所构成。9.一种半导体装置之制造方法,系为一种将导电性物质埋入用以连接用绝缘膜绝缘之第1导电层与第2导电层之间之形成于前记绝缘膜上之连接孔之方法,其特征在于:具备以将在与前记第一导电层相接之前记连接孔之底部,将前记导电性物质埋入时之屏障金属层,藉由使用以包含与前记第1导电层自行化合之物质之气体作为源气体之电浆CVD法形成之工程;及于由此形成机构形成于前记连接孔之底部之前记屏障金属层上,藉由选择性CVD法连续将前记导电性物质成膜之工程。10.根据申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中:前记第1导电层系由Si所成。11.根据申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中:与前记第1导电层自行化合之物质系为Ti。12.根据申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中:包含与前记第1导电层自行化合之物质之气体系为TiCl4。13.根据申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中:前记导电性物质系为W。14.根据申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中:前记屏障金属层系为TiSix膜。15.根据申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中:前记形成机构及前记成膜机构系于同一室或相异之室内进行。图式简单说明:第一图:表示本发明之实施形态所相关之半导体制造装置之构成之概略图。第二图:同样,用以说明相关处理之半导体装置之概略断面图。第三图:同样,用以说明相关处理之流程之流程图。第四图:同样,对形成时间,TiSix膜之形成速度与Ti之形成速度之关系之概略图。第五图:表示本发明之其他实施形态所相关之半导体制造装置之构成之概略图。第六图:用以说明习知技术与其问题点之半导体装置之概略断面图。第七图:同样,用以说明相关处理之流程之流程图。 |
