| 发明名称 | 级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，包括：多个纳米线堆叠，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠；多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；多个沟道区，由位于多个源漏区之间的纳米线堆叠构成；其中多个纳米线堆叠为级联的多个纳米线构成的堆叠。依照本发明的堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，通过多次回刻、侧向刻蚀沟槽并填充，形成了质量良好的级联的纳米线堆叠，以较低的成本充分增大导电沟道有效宽度，并且提高了有效导电总截面面积，从而提高驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104282560A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201310274977.8 | 申请日期 | 2013.07.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;马小龙;徐唯佳;徐秋霞;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在每个鳍片中形成由多个纳米线级联构成的纳米线堆叠；在纳米线堆叠上形成沿第二方向延伸的栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区，源漏区之间的纳米线构成沟道区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||