一种IGBT的制造方法

摘要

本发明提供一种IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二或第二导电类型的通道；在所述衬底的第一表面上外延形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道，此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。该方法对薄片流通能力没有特殊要求，更不需要双面曝光机设备，与现有的常规工艺兼容，工艺简单、效率高。

主权项

一种IGBT的制造方法，其特征在于，其包括：提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型或第二导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二导电类型或第二导电类型的通道，其中所述通道的导电类型与所述衬底的导电类型不同；在所述衬底的第一表面上外延形成第二导电类型的漂移区；基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道，此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布；在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。