借助非易失性存储器的循环的开始编程电压偏移

摘要

本发明揭示一种用于对非易失性存储设备进行编程的系统，其用于通过将开始编程电压设置为用于新生零件的第一电平，且在存储器被循环时调整所述开始编程电压，来改进性能。举例来说，所述系统在第一周期期间，使用具有第一初始值的增加编程信号来对一组非易失性存储元件进行编程，且随后在第二周期期间，使用具有第二初始值的增加编程信号来对所述组非易失性存储元件进行编程，其中所述第二周期在所述第一周期之后，且所述第二初始值与所述第一初始值不同。

主权项

一种用于操作非易失性存储设备的方法，其包括：在第一周期期间，使用具有第一初始值的增加编程信号对一组非易失性存储元件进行编程；从所述一组非易失性存储元件读取数据；从所述数据的读取中确定所述数据中错误的量；确定所述错误的量是否满足阈值；响应于确定所述错误的量不满足所述阈值，使用具有所述第一初始值的所述增加编程信号对所述一组非易失性存储元件继续编程；以及响应于确定所述错误的量满足所述阈值，在第二周期期间，使用具有第二初始值的增加编程信号对所述一组非易失性存储元件进行多个编程循环的编程，所述第二周期在所述第一周期之后，所述第二初始值与所述第一初始值不同。