磁控管和半导体设备

摘要

本发明公开了一种磁控管和半导体设备。该磁控管包括：磁轭、内磁极、外磁极、内磁极件和外磁极件，内磁极和外磁极设置于磁轭之上，外磁极围绕于内磁极的周围，内磁极件设置于内磁极之上，外磁极件设置于外磁极之上，所述内磁极件的磁力线发射面和所述外磁极件的磁力线发射面均为坡面。本发明中内磁极件的磁力线发射面和外磁极件的磁力线发射面均为坡面，提高了磁力线包络边缘区域的磁场强度水平分量值，使该边缘区域对应的靶材的腐蚀深度变深，以及降低了磁力线包络中心区域的磁场强度水平分量值使该中心区域对应的靶材的腐蚀深度变浅，进而提高靶材上腐蚀区域的宽度和降低腐蚀区域的深度，且提高了靶材的利用率和靶材上腐蚀区域的均匀性。

主权项

一种磁控管，包括：磁轭、内磁极、外磁极、内磁极件和外磁极件，所述内磁极和所述外磁极设置于所述磁轭之上，所述外磁极围绕于所述内磁极的周围，所述内磁极件设置于所述内磁极之上，所述外磁极件设置于所述外磁极之上，其特征在于，所述内磁极件的磁力线发射面和所述外磁极件的磁力线发射面均为坡面。