| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种刻蚀方法，包括：初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体。所述氟基气体包括CF<sub>4</sub>、CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>、CHF<sub>3</sub>中的一种或至少两种的组合，所述氯基气体包括Cl<sub>2</sub>、CH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>、CH<sub>3</sub>Cl中的一种或至少两种的组合。本发明所述的刻蚀方法，在初刻蚀步骤中增加氯基气体如Cl<sub>2</sub>作为刻蚀气体，使得Dense区图案中线条线宽的缩小量比Iso区图案中线条线宽的缩小量更大，这一趋势与PR-loading效应导致的Dense区图案中线条线宽比Iso区更大刚好相反，从而最终补偿PR-loading效应对线宽均匀性的影响，进而在半导体晶片各处获得均匀的AEI线宽。 | ||
| 申请公布号 | CN101777485B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN200910076643.3 | 申请日期 | 2009.01.12 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 白志民 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，所述方法包括图案化光刻胶层、初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀，其中，被刻蚀材料表面覆盖有正性的I线酚醛树脂光刻胶，掩模结构底部没有抗反射层，图案化光刻胶层时有光刻胶负载效应，其特征在于，所述初刻蚀采用氟基气体和氯基气体的混合气体形成等离子体，以补偿光刻胶负载效应对线宽均匀性的影响，在主刻蚀步骤进行之前改善线宽的均匀性。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号 | ||