| 发明名称 | 一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P<sup>－</sup>外延层，载流子输运在P<sup>－</sup>外延层反型沟道，由于P<sup>－</sup>外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104282766A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410620019.6 | 申请日期 | 2014.11.06 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 李诚瞻;吴煜东;赵艳黎;蒋华平;高云斌;丁荣军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种新型碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：SiC衬底(9)、设置于所述SiC衬底(9)上方的N<sup>－</sup>外延层(8)、设置于所述N<sup>－</sup>外延层(8)上方的两个P阱(7)、设置于P阱(7)上的相互紧邻的N<sup>+</sup>接触(5)和P<sup>+</sup>接触(6)，设置于两个P阱(7)中间的JFET区(11)，设置于JFET区(11)上方并延伸至P阱(7)上的SiO<sub>2</sub>氧化层(2)、设置于SiO<sub>2</sub>氧化层(2)上方的栅极(1)，设置于P阱(7)上方的源极(4)、设置于所述SiC衬底(9)下方的漏极(10)，以及设置于所述两个P阱(7)上与碳化硅衬底相同大小的P<sup>－</sup>外延层(3)。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||