发明名称 | 图像传感器的形成方法 | ||
摘要 | 一种图像传感器的形成方法,包括:提供晶圆;在晶圆正面形成像素电路中的各个晶体管;在晶圆和晶体管的上形成介质层,和位于介质层中的互连结构,所述各个晶体管通过互连结构相连,形成像素电路;形成像素电路后,在介质层上形成承载结构;形成承载结构后,翻转晶圆,使晶圆的背面朝上;在晶圆的背面形成图形化的掩膜层,图形化的掩膜层定义扩散柱的位置;以所述图形化的掩膜层为掩膜,对晶圆进行掺杂,在晶圆内形成扩散柱,所述扩散柱与所述像素电路相连;去除图形化的掩膜层;去除图形化的掩膜层后,在晶圆的背面形成光电二极管。本发明图像传感器的形成方法工艺简单,成本低廉。 | ||
申请公布号 | CN104282697A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
申请号 | CN201310277684.5 | 申请日期 | 2013.07.03 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙光宇 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供晶圆;在所述晶圆正面形成像素电路的各个晶体管;在所述晶圆和晶体管上形成介质层,和位于所述介质层中的互连结构,所述各个晶体管通过所述互连结构相连,形成像素电路;形成像素电路后,在所述介质层上形成承载结构;形成所述承载结构后,翻转所述晶圆,使所述晶圆的背面朝上;在所述晶圆的背面形成图形化的掩膜层,所述图形化的掩膜层定义扩散柱的位置;以所述图形化的掩膜层为掩膜,对所述晶圆进行掺杂,在所述晶圆内形成扩散柱,所述扩散柱与所述像素电路相连;去除所述图形化的掩膜层;去除所述图形化的掩膜层后,在所述晶圆的背面形成光电二极管。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |