超薄多层封装体及其制作方法

摘要

本发明公开了一种超薄多层封装体及其制作方法，在基底层的上表面设有芯片层，在芯片层的外部填充有包封体，在包封体与芯片层的上表面设有正面钝化层，在硅基底层的下表面设有介质层，在介质层的下表面设有背面钝化层，在正面钝化层内嵌有正面布线，在背面钝化层内嵌有背面布线，背面布线与正面布线之间通过穿透硅基底层和包封体的金属柱相连。芯片层位于金属柱区域外，在金属柱的外壁上设有介质层、阻挡层和种子层。本发明采用背面硅体刻蚀工艺和芯片叠加工艺，实现了从硅基底层上表面到下表面堆叠芯片的直接互连，实现了超薄多层封装体的封装制作。避免了传统方法使用多层复杂布线工艺来达到上表面和下表面的电性连接、制作成本昂贵和良率低下等问题。

主权项

一种超薄多层封装体，其特征是：在基底层（1）的上表面设有芯片层（2），在芯片层（2）的外部填充有包封体（3），在包封体（3）与芯片层（2）的上表面设有正面钝化层（4），在基底层（1）的下表面设有介质层（5），在介质层（5）的下表面设有背面钝化层（6），在正面钝化层（4）内嵌有正面布线（7），在背面钝化层（6）内嵌有背面布线（8），背面布线（8）与正面布线（7）之间通过穿透基底层（1）和包封体（3）的金属柱（9）相连。