发明名称 | 一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法。取一个大尺寸装片花篮,根据需要制备的小尺寸测试片的片数和尺寸选择对应数量和尺寸的夹具,将选择好的小尺寸测试片的夹具一一对应大尺寸装片花篮两侧的卡槽紧密插接啮合;将不同尺寸外延片分别装配在大尺寸装片花篮的卡槽和相应的小尺寸测试片夹具的卡槽中,此夹具设计易于装配且不会脱落。然后对外延片表面进行处理,最后进行厚度和电阻率测试。该方法简单快速、有效实用、可操作性强,尤其适宜于工业生产中需要同时制备多片数、多尺寸的外延测试片,大大提高生产效率,节省了大量的人力和时间。 | ||
申请公布号 | CN104282595A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
申请号 | CN201410570923.0 | 申请日期 | 2014.10.23 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 发明人 | 王文林;陈涛;高航;李明达 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人 | 王凤英 |
主权项 | 一种兼容多尺寸硅外延测试片的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤一.夹具安装:取一个大尺寸装片花篮,根据需要制备的小尺寸测试片的片数和尺寸选择对应数量和尺寸的夹具,将选择好的小尺寸测试片的夹具一一对应大尺寸装片花篮两侧的卡槽紧密插接啮合;步骤二.外延片装配:将不同尺寸外延片分别装配在大尺寸装片花篮的卡槽和相应的小尺寸测试片夹具的卡槽中;步骤三.外延片表面处理:采用HF溶液将硅外延测试片表面的自然氧化层漂洗干净,用去离子水将外延片表面冲洗干净,对于导电类型为P型的硅外延测试片甩干或用氮气吹干备测;对于导电类型为N型的硅外延测试片,要保持全部硅外延测试片浸没于H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>热溶液中氧化处理,使其表面生成一层均匀的氧化层,再用去离子水将硅外延测试片表面冲洗干净,甩干或用氮气吹干备测;步骤四.测试外延片厚度和电阻率:表面处理过的测试片依次进行厚度和电阻率测试。 | ||
地址 | 300220 天津市河西区洞庭路26号 |