| 发明名称 | 静电保护电路、光电装置及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供更强地抑制静电影响的静电保护电路、光电装置及电子设备。本发明涉及的静电保护电路，其特征为：在第1布线(321)，电连接有第1p型晶体管(310a)的漏(315a)和第1n型晶体管(330a)的栅(333a)及源(334a)；在第2布线(322)，电连接有第1p型晶体管(310a)的栅(313a)及源(314a)、第1n型晶体管(330a)的漏(335a)、第2p型晶体管(310b)的漏(315b)和第2n型晶体管(330b)的栅(330b)及源(334b)；在第3布线(323)，电连接有第2p型晶体管(310b)的栅(313b)及源(314b)和第2n型晶体管(330b)的漏(335b)。 | ||
| 申请公布号 | CN104280955A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410289444.1 | 申请日期 | 2014.06.25 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 曾我部英德;吉井荣仁 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 一种静电保护电路，其特征在于，包括：第1p型晶体管，第1n型晶体管，第2p型晶体管，第2n型晶体管，第1布线，第2布线，和第3布线，在所述第1布线电连接有所述第1p型晶体管的源及漏之中的一个、和所述第1n型晶体管的栅和所述第1n型晶体管的源及漏之中的一个；在所述第2布线电连接有所述第1p型晶体管的栅、所述第1p型晶体管的源及漏之中的另一个、所述第1n型晶体管的源及漏之中的另一个、所述第2p型晶体管的源及漏之中的一个、和所述第2n型晶体管的栅和所述第2n型晶体管的源及漏之中的一个；在所述第3布线电连接有所述第2p型晶体管的栅、所述第2p型晶体管的源及漏之中的另一个和所述第2n型晶体管的源及漏之中的另一个。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||